【EI核心论文推荐】Chemical defect explanation for the effect of postdeposition treatments on CuInSe2
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Abstract: Hydrogenation and oxygenation of CuInSe2 have been studied by x-ray photoelectron spectroscopy in order to investigate the defect properties. Initially oxidized p-type material was type-converted by low-energy hydrogen ion implantation. A defect model has been proposed suggesting the reactivation of selenium vacancies (VSe) as well as the creation of additional indium copper antisites (InCu). For cleaved samples, a direct influence of hydrogen on the net-donor concentration has been assumed. The resulting Cu-depleted surface is the result of the downward band bending and the migration of Cu into the bulk by the built-in electric field. The subsequent oxidation leads to a passivation of VSe and InCu, and hence yields a reconversion of the conductivity type. © 2002 American Institute of Physics.
Author: ;Otte, K. Chasse, T. Lippold, G. Rauschenbach, B. Szargan, R.
Author Unit: Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstrasse 15, 04318 Leipzig, Germany
Keyword:
Year: 2002
Source: Journal of Applied Physics
Volume-OnPage:
Publication Date:
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